NDIR vs MOS 气体传感
Non-Dispersive Infrared vs Metal Oxide Semiconductor
MOS 能不能替代 NDIR 测 CO₂？
01
一句话结论
需要定量浓度（尤其 CO₂）用 NDIR；MOS 只适合做存在性判断与趋势，且必须做温湿度补偿与定期校正。
02
对比表
对比维度共 6 项。对比只在同一使用条件下才有意义。
| 维度 | NDIR 非分散红外 | MOS 金属氧化物半导体 |
|---|---|---|
| 选择性 | 好（特征吸收峰） | 差（广谱响应） |
| 长期稳定性 | 好 | 基线漂移明显 |
| 温湿度依赖 | 需补偿 | 极强依赖 |
| 功耗 | 较高（光源） | 较高（需加热） |
| 成本 | 中高 | 极低 |
| 定量能力 | 可定量 | 半定量 |
03
怎么选
选「NDIR 非分散红外」的情形
- 需要定量浓度
- 长期稳定性要求高
- CO₂ 测量
选「MOS 金属氧化物半导体」的情形
- 仅需趋势与报警
- 成本极敏感
- 可接受半定量
04
双方详情
05
注意事项
对比的边界对比表只覆盖典型工况。介质、量程、安装条件与维护能力任何一个改变，结论都可能反转。现场选型应以实测比测为准。
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把 NDIR vs MOS 气体传感 用起来
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